Neugebohrn, Nils (2016) Electronic transport and potential barriers at the MoSe2-Mo back contact in Cu(In,Ga)Se2 solar cells. PhD, Universität Oldenburg.

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Abstract

In this thesis, the MoSe2-Mo back contact of Cu(In,Ga)Se2 solar cells was investigated and its impact for CIGSe solar cells was assessed. An investigation of a MoSe2/Mo samples, in which Mo layers with varied sodium supply were selenized, revealed, that the sodium mainly diffuses to the sample surface and MoSe2/Mo interface. While an inverse relation between sodium supply and the thickness of the MoSe2 layer was found, the sodium content had hardly an impact on the resistivity of the MoSe2 layers. To investigate the presence of a barrier at the back contact, a study of samples with isolated back contact structures was realized. By the means of IVT measurements, a barrier was found to be present at the CIGSe/MoSe2 interface, while the MoSe2/Mo interface could be classified to be ohmic. Based on all the experimental previous results, a simulation model of the CIGSe solar cell was set up to enable a comprehensive understanding of the impact of the back contact on the solar cell characteristics.

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Elektrische Transport- und Potentialbarrieren am MoSe2-Mo-Rückkontakt in Cu(In,Ga)Se2-Solarzellen

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In dieser Arbeit wurde der MoSe2-Mo-Rückkontakt von Cu(In,Ga)Se2-Solarzellen untersucht und seine Relevanz durch Experiment und Simulation bewertet. Die Untersuchung von MoSe2/Mo-Proben, wobei Mo-Schichten mit variiertem Natriumgehalt selenisiert wurden, zeigte, dass Natrium vorwiegend zur Probenoberfläche und zur MoSe2/Mo-Grenzflächen diffundiert. Ein inverser Zusammenhang zwischen der Natriummenge und der MoSe2-Schichtdicke wurde festgestellt, doch hat der Natriumgehalt kaum Einfluss auf den spezifischen Widerstand der MoSe2-Schicht. Um eine Barrierenwirkung des Rückkonktaktes zu untersuchen, wurde eine Studie des isolierten Rückkonktaktes durchgeführt. Mit IVT-Messungen wurde eine Barrie an der CIGSe/MoSe2-Grenzfläche ermittelt, wogegen die MoSe2/Mo-Grenzfläche als ohmsch eingestuft werden konnte. Aufbauend auf den experimentellen Ergebnissen wurde ein Simulationsmodell einer CIGSe Solarzelle inklusive der MoSe2-Schicht erstellt, um den Einfluss des Rückkontakts auf die Solarzelle zu untersuchen.

Item Type:	Thesis (PhD)
Uncontrolled Keywords:	Dünnschichtsolarzelle, Molybdändiselenid, Kupferselenid
Subjects:	Science and mathematics > Physics
Divisions:	Faculty of Mathematics and Science > Institute of Physics (IfP)
Date Deposited:	27 Sep 2016 14:11
Last Modified:	27 Sep 2016 14:11
URI:	https://oops.uni-oldenburg.de/id/eprint/2859
URN:	urn:nbn:de:gbv:715-oops-29406
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