Souffi, Nacera (2007) Thermally stimulated currents and photoconductivity in microcrystalline silicon. PhD, Universität Oldenburg.

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Abstract

This thesis focuses on the characterization of microcrystalline silicon ( c-Si:H) samples by numerically simulated and experimental thermally stimulated currents (TSC). TSC measurements and simulations demonstrate in detail two different retrapping regimes (strong and weak). A combined experiment - simulation approach allows to extract the density-of-states profile and to deduce trap parameters. For ñc-Si:H samples, the conduction band tail parameters vary between 20 meV and 24 meV. Deeper in the gap, a broad defect distribution is obtained. The capture coefficient varies between 1 10-9 cm3 s-1 and 3 10-9 cm3 s-1.

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Diese Dissertation behandelt die Charakterisierung von mikrokristallinem Silizium (ñc-Si:H) durch numerisch simulierte und experimentell bestimmte thermisch stimulierte Ströme (TSC). TSC Messungen und Simulationen erlauben die detaillierte Demonstration von zwei verschiedenen Retrapping-Regimen (stark und schwach). Eine Kombination von Experiment und Simulation ermöglicht die Bestimmung des Zustandsdichte-Profils und der Trap-Parameter. Für Proben von ñc -Si:H liegt der Parameter des Leitungsbandausläufers im Bereich zwischen 20 meV und 24 meV. Tiefer in der Bandlücke wird eine breite Defektverteilung bestimmt. Der Einfangkoeffizient liegt zwischen 1 10-9 cm3 s-1 und 3 10-9 cm3 s-1.

Item Type:	Thesis (PhD)
Uncontrolled Keywords:	[Keine Schlagwörter von Autor/in vergeben.]
Controlled Keywords:	TSC Messung, mikrokristallines Silizium
Subjects:	Science and mathematics > Physics
Divisions:	Faculty of Mathematics and Science
Date Deposited:	17 Jan 2013 14:12
Last Modified:	08 Jul 2013 13:02
URI:	https://oops.uni-oldenburg.de/id/eprint/49
URN:	urn:nbn:de:gbv:715-oops-791
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