Seifert, Oliver (1999) Persistente Photoleitfähigkeit indünnen GaN- und AlGaN-Schichten. PhD, Universität Oldenburg.

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Abstract

Galliumnitrid (GaN) wird In den nächsten Jahren Im Bereich optoelektronischer Anwendungen das dominierende Materialsystem für Bauteile wie Leuchtdioden und Halbleiterlaserdioden kurzwelligen (blau bis ultraviolett) sein. Rahmen dieser Arbeit untersuche ich Phänomen der persistenten Photoleitfähigkeit (PPC) GaN. Effekt zeigt sich GaN bei Beleuchtung mit Licht unterhalb Bandlückenenergie. die elektrische Leitfähigkeit steigt unter an bleibt nach Beendigung Lichtanregung extrem lange Zeiten bestehen. optische Anregbarkeit Subbandgap-Licht langen sind ein Hinweis auf tiefe metastabile Defekte Bandlücke von Ziel vorliegenden ist Es verantwortlichen Defekt zu identifizieren. werde insbesondere Sauerstoff als vermutlich PPC relevante Verunreinigung diskutieren. über energetische Charakterisierung physikalischen Mechanismus Metastabilität erklären mikroskopischen Potentialfluktationen begründet liegt. räumliche Lokalisierung des Defektes daß substratnahen GaN- Schicht eine besondere Bedeutung zukommt Erklärung Potentialfluktuationen. handelt um einen defektreichen mechanisch verspannten Probe hauptsächlich hervorgerufen durch Wachstumsfehler. einem Probenvergleich Wege aufzeigen reduziert oder vielleicht sogar verhindert werden kann.

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Galliumnitrid (GaN) will be the dominating material system for optoelectronic device In short wavelength range (blue to ultraviolet) e.g. light emitting diodes and laser diodes. This work I investigate persistent photoconductivity (PPC) GaN. effect is visible GaN under illumination with subbandgap-light. electrical conductivity increases remains after end of excitation extreme long times. optical subbandgap-light time constants are all probability related deep metastable defects bandgap present try identify responsible defect. Especially oxygen discussed as relevant impurity. mechanism metastability due microscopic potential fluctuations. spatial localization defect shows a great importance interfacial layer explanation PPC terms rich strained region samples mainly imperfect crystalline growth. comparison show how reduce or even prevent PPC.

Item Type:	Thesis (PhD)
Uncontrolled Keywords:	[Keine Schlagwörter von Autor/in vergeben.]
Controlled Keywords:	Galliumnitrid, Photoleitfaehigkeit
Subjects:	Science and mathematics > Physics
Divisions:	Faculty of Mathematics and Science > Institute of Physics (IfP)
Date Deposited:	17 Jan 2013 14:18
Last Modified:	08 Jul 2013 13:03
URI:	https://oops.uni-oldenburg.de/id/eprint/434
URN:	urn:nbn:de:gbv:715-oops-4670
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