Meyer, Thorsten (1999) Reversible Relaxationsphänomene imelektrischen Transport von Cu(In,Ga)Se2. PhD, Universität Oldenburg.
|
Volltext (2717Kb) |
Abstract
Untersucht werden reversible Relaxationsphänomene Mit großen Relaxationszeiten (einige Stunden bei 300K) im elektrischen Transport von p-leitenden CIGS- Schichten und ZnO/CdS/CIGS-Solarzellen. ein wichtiger Effekt ist die Voc-Relaxation der Zellen d.h. langsame Anstieg Leerlaufspannung (Voc) unter konstanter Beleuchtung. Phänomene auf eine gemeinsame Ursache zurückgeführt nämlich große Gitterrelaxation CIGS zum persistenten Einfang Überschusselektronen führt. in den führt dies zu persistenter Photoleitung. Raumladungszone (RLZ) stellen gefangenen Elektronen zusätzliche Raumladung dar. Es wird quantitatives Modell entwickelt das Konsequenzen einer solchen Zusatzladung vorhersagt. diesem Verbindung zwischen Relaxationsphänomenen quantitativ bestätigt. Außerdem zeigt sich dass Volumenrekombination RLZ dominante Verlustpfad ist.
["eprint_fieldname_abstract_plus" not defined]
Reversible relaxation phenomena with large time (many hours at 300K) in the electronic transport of p-type CIGS thin films and ZnO/CdS/CIGS solar cells are investigated. an important effect is open circuit voltage i.e. slow increase under constant illumination. shown to have one common origin namely A lattice which leads persistent trapping excess electrons. this photoconductivity. space charge region (SCR) trapped electrons represent additional charge. quantitative model developed describes impact such on transport. Using connection between quantitatively confirmed. Furthermore it that volume recombination SCR dominant loss mechanism cells.
Item Type: | Thesis (PhD) |
---|---|
Uncontrolled Keywords: | [Keine Schlagwörter von Autor/in vergeben.] |
Controlled Keywords: | Reversible Relaxationsphä, Elektrischer Transport, Solarzelle |
Subjects: | Science and mathematics > Physics |
Divisions: | Faculty of Mathematics and Science > Institute of Physics (IfP) |
Date Deposited: | 17 Jan 2013 14:18 |
Last Modified: | 08 Jul 2013 13:03 |
URI: | https://oops.uni-oldenburg.de/id/eprint/431 |
URN: | urn:nbn:de:gbv:715-oops-4647 |
DOI: | |
Nutzungslizenz: |
Actions (login required)
View Item |